Нет товаров в корзине
GD800HFX170A3S, IGBT модуль 800A, 1700В, полумост, материал подложки - AlSiC, max рабочая температ
GD800HFX170A3S, IGBT модуль 800A, 1700В, полумост, материал подложки - AlSiC, max рабочая температ
GD800HFX170A3S, IGBT модуль 800A, 1700В, полумост, материал подложки - AlSiC, max рабочая температ
66 250.00 ₽