Главная
Партнерам
Компания
Контакты
Помощь
Доставка
Перезвонить
Каталог
Микросхемы
Транзисторы
Диоды и тиристоры
Конденсаторы
Резисторы
Оптоэлектроника
Индуктивные компоненты
Разъемы, Соединители
Реле
Автоматизация
Акустика
Беспроводное оборудование
Готовые изделия
Датчики
Измерительные приборы
Инструмент
Источники питания
Кабельно-проводниковая продукция
Кварцы, фильтры, осцилляторы
Метизы и строительный крепеж
Низковольтное оборудование
Паяльное оборудование
Переключатели
Промышленная автоматизация
Светотехнические изделия
Средства разработки, конструкторы
Устройства защиты
Щитовое оборудование
Электромеханические компоненты
Электрооборудование
Электротехника Degson
Электротехника Wieland
Электроустановочное оборудование
Вход
Регистрация
Загрузить файлом
Москва
Воронеж
+7 (495) 660-36-02
+7 (473) 239-22-22
Корзина
Нет товаров в корзине
Меню
Главная
Партнерам
Компания
Контакты
Помощь
Доставка
Перезвонить
sales@deltel.ru
Главная страница
»
Каталог
»
Транзисторы
»
Полевые транзисторы
»
Транзисторы на основе карбида кремния (SIC)
»
IMBG65R260M1HXTMA1
IMBG65R260M1HXTMA1 Транзистор полевой MOSFET SIC N-канальый 650В 6А, 65Вт
622.01 ₽
Количество, шт.
Цена, ₽
1
-
2
622.01
3
-
5
603.05
6
-
11
584.80
12
-
22
570.31
23
+
562.50
Доступное количество -
70 шт.
1
1 шт.
В корзину
В корзине
Заявка
Артикул:
5550045
Производитель:
INF
Год выпуска:
Описание
Характеристики
Документация
Тип упаковки
Tape and Reel (лента в катушке).
Нормоупаковка
1000.
Вес брутто
1.65 г.
Корпус
TO-263-7.
Описание
MOSFET, SIC, N-KANAL, 650V, 6A, 65W.
IMBG65R260M1H_.pdf
Скачать файл
IMBG65R260M1HXTMA1
622.01 ₽
В корзину
Нет в наличии
Описание
Характеристики
Результаты поиска по позиции