ЗАО "Дельта Электроника" - радиоэлектронные компоненты и приборы, продажа со склада и на заказ (ГОСТ Р ИСО 9001-2008)

Москва Воронеж +7 (495) 660-36-02 +7 (473) 239-22-22

Нет товаров в корзине

Найденно элементов - 760

Наименование	Описание	Артикул	Производитель	Кол-во, шт.	Цена, ₽	Купить
HGTG20N60A4, Транзистор IGBT 600В 70А [TO-247]		7876325	Onsemiconductor	1050	1 093.75 ₽	В корзину В корзине
HGTG20N60A4	Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 70 А, 290 Вт, 200 кГц	8999146	ONS	На заказ	556.84 ₽	В корзину В корзине
HGTG12N60A4D, Транзистор IGBT 600В 54А 167Вт [TO-247]		8245242	Onsemiconductor	550	705.00 ₽	В корзину В корзине
HGTG12N60A4D	Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 54 А, 167 Вт	8999148	ONS	На заказ	461.75 ₽	В корзину В корзине
HGTG11N120CND, Транзистор IGBT 1200В 43А 298Вт [TO-247]		7876323	Onsemiconductor	580	1 022.50 ₽	В корзину В корзине
HGTG11N120CND Транзистор IGBT 1200В 43А 298Вт [TO-247]		6508124	FAIRCHILD	На заказ	364.00 ₽	В корзину В корзине
HGTG11N120CND	Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 43 А, 298 Вт	5481320	ONS	374	577.66 ₽	В корзину В корзине
HGTG10N120BND, Транзистор IGBT 1200В 17А [TO-247]		7876322	Onsemiconductor	217	850.00 ₽	В корзину В корзине
HGTG10N120BND IGBT транзистор		6508123	FAIRCHILD	На заказ	312.00 ₽	В корзину В корзине
HGTG10N120BND	Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 35 А	5546960	ONS	71	552.48 ₽	В корзину В корзине
GT60N321, Транзистор IGBT 1000V 60A [TO-3P/2-21F2C]		7876319	Toshiba	220	1 262.50 ₽	В корзину В корзине
GT60N321 Formed Leads, Транзистор IGBT 1000V 60A [TO-3P/2-21F2C]		7876320	Toshiba	50	366.25 ₽	В корзину В корзине
GT50JR22(STA1,E,S), Транзистор, IGBT Chip N-CH 600В 50А 230Вт [TO-3PN]		7876318	Toshiba	130	615.00 ₽	В корзину В корзине
GT50JR22(STA1,E,S), Транзистор IGBT Chip N-канал 600В 50А 230Вт TO-3PN		8603402	Toshiba	На заказ	143.50 ₽	В корзину В корзине
GT50JR22	Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 50 А, 230 Вт	5489697	TOS	1549	205.25 ₽	В корзину В корзине
GT50J327, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 50 А [TO3PN]		7876317	КИТАЙ	На заказ	537.50 ₽	В корзину В корзине
GT50J325, Транзистор, IGBT, 600В, 50А [2-21F2C]		7876316	Toshiba	70	1 837.50 ₽	В корзину В корзине
GT50J325	Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 50 А, 240 Вт (Recommended replacement: GT30J341)	5489696	TOS	5	2 333.00 ₽	В корзину В корзине
GT40WR21,Q(O, Транзистор IGBT 1800В 40А 375Вт [TO-3P(N)]		7876315	Toshiba	79	2 437.50 ₽	В корзину В корзине
GT35J321, Транзистор IGBT, N-канал 600В 20А 75Вт, TO-3PF		7876314	Toshiba	На заказ	1 287.50 ₽	В корзину В корзине
GT30J322(Q), Транзистор, IGBT, 600В, 30А [2-16F1A]		7876313	Toshiba	24	838.75 ₽	В корзину В корзине
GT30J322 L-forming leads, Транзистор, IGBT, 600В, 30А [2-16F1A]		7876312	Toshiba	На заказ	431.25 ₽	В корзину В корзине
GT30J127 Formed Leads, Транзистор, IGBT, 600В, 30А [TO-220SIS]		7876311	Toshiba	На заказ	157.50 ₽	В корзину В корзине
GT30J122A(STA1,E,D, Транзистор IGBT 600В 30А [TO-3PN]		7876310	Toshiba	На заказ	412.50 ₽	В корзину В корзине
FS75R12W2T4BOMA1	Транзистор биполярный IGBT N-канальный 1200В 107A 375Вт 35-Pin EASY2B-1 лоток	8465685	INF	На заказ	0.00 ₽	В корзину В корзине
FS75R12KE3BOSA1	Биполярный транзистор IGBT, 1200 В 105 А 350 Вт	5489482	INF	11	26 008.91 ₽	В корзину В корзине
FP75R12KE3BOSA1	Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 75 A, 355Вт	5480907	INF	8	39 875.69 ₽	В корзину В корзине
FP50R06W2E3BOMA1, Транзистор IGBT Module N-CH 600V 65A 175000mW 23-Pin EASY2B-1 Tray		7876300	Infineon	На заказ	22 300.00 ₽	В корзину В корзине
FP35R12W2T4BOMA1	Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 35A	5481228	INF	45	6 383.69 ₽	В корзину В корзине
FP25R12W2T4BOMA1	Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 25A, 175Вт	5481227	INF	11	4 477.20 ₽	В корзину В корзине